Содержание драгоценных металлов в радиодеталях

МИКРОСХЕМЫ В КЕРАМИЧЕСКОМ КОРПУСЕ

  • КМ155ТМ7
  • KM 555TM2
  • АОД109А; ЗОД109А
  • (К)1НТ251,661;2ТС622Б
  • 1ЛБ337; 1ДР331; 1ТК331
  • 564 ЛА7, ЛЕ5, ТМ2, ЛН2
  • 132 РУ1
  • 564 ПУ 4
  • 564РУ2(КП1)
  • 537 РУ2
  • 169УЛ1
  • 142 ЕН2Б; КНД1(5)
  • К565РУ2;К507РУ1
  • К565РУ1
  • 556 РТ 5А
  • 556 РТ 7А
  • Серия 286
  • 133ИР13
  • (К)505РЕЗ
  • К573 РФ5(2)
  • КС 573 РФ2
  • КМ 804
  • К1ЖГ 451
  • К5ИД011
  • 543 КНЗ
  • 2ТАК291Б
  • К2ИЕ301 Б; 2ИЕ302Б

МИКРОСХЕМЫ В МЕТАЛЛИЧЕСКОМ КОРПУСЕ

  • Серия 122 УН(УД)
  • (К) 140УД1А(3),УД1А
  • 140 УД 6А;УД 6А
  • 140УД7.УД7
  • 521 СА2,3
  • 723 В
  • TESLA MAA 723
  • TESLA МАА 723 (без позолоты)
  • 2 N 290 4А
  • 217 НТЗ
  • 217ЛБ2А; 217КТЗ (с позолоченой крышкой)
  • К814КН 1 Б
  • КТС 613 (А,Б) 2ТС 613 (А,Б) с позолотой на основании
  • 2ТС (КТС) 613 А, Б
  • 1ТС609Б
  • К284 УД; 284УЕ1
  • 263 УИ1
  • 228 УВ 2, 4; К228 УВ 4 (с позолоченным основанием)
  • 228(К) УВ 2; 4
  • К816УД1А, 2А(В,Г)
  • К298ФН8, 10, 16
  • К 223 ТК 1
  • К817ЕН 1А(2А)
  • КМП 817 ЕН 4Б (ЗБ)
  • КМП817УД6

МИКРОСХЕМЫ В ПЛАСТИКОВОМ КОРПУСЕ

  • Серия К 131
  • Серия К 155
  • Серия К 155, 155 (бедные)
  • Серия К 155 (с дуралюминовой подложкой)
  • Серия К 155 (крупные)
  • Серия К 158
  • Серия К 500; 500
  • Серия К 500 (бедные)
  • Серия К 531
  • Серия К 531 (с дуралюминовой подложкой)
  • Серия К 555; (ИР 22,23) (с-дуралюминовой подложкой)
  • Серия К 555
  • Серия К 555 ТМ 8(9)
  • Серия К 556 (крупные с дуралюминовой подложкой)
  • Серия К 561
  • Серия КР 565

ТРАНЗИСТОРЫ

  • 2Т(КТ)117 Г
  • 2Т 203 (А, Б)
  • КТ 203 Б
  • 2Т208(А, Б, В, Г)
  • КТ3102А, Б, Г
  • 2Т(КТ)3117А
  • 2Т312В
  • КТ312В
  • 2Т312Б
  • КТ312Б
  • КТ 312 Б (желтые)
  • 2Т313(А, Б)
  • КТ313А, Б
  • 41 С 8
  • КТ501 И
  • КС 508
  • БСАР 77 А
  • ЗЕ WN (импортные)
  • ЗЕХ2 (5, 7) (импортные)
  • 2У(КУ)101 (А, Б, Е, Г)
  • АОТ110А
  • П 309
  • Серия КТ 505
  • Серия 2Т6 551
  • КТ(2Т)603(А,Б)
  • 2Т 603 А (белые)
  • КТ(2Т)608(А,Б)
  • КТ 608 Б(белые)
  • 2Т 635 А
  • 2Т6 821
  • 2Т831 Б(830 Б)
  • TESLA КРУ 18 (импортные)
  • TESLA КРУ 18 (импортные)
  • TESLA KF 508 (импортные)
  • TESLA KF 517 (импортные)
  • SSY 20 В (импортные)
  • SF 129 С (импортные)
  • SF129C (импортные)
  • SF129C
  • МП 13, 14, 15,20,21,26
  • 1Т308( А, Б, В)
  • 1Т403Г(ГТ403Г)
  • П416А
  • 2Т(КТ) 602 Б (желтые)
  • 2Т(КТ) 602 А,Б (белые)
  • Серий 13В44.87ХЗ, 19С17
  • КТ 909 Б
  • КТ(2Т)914А
  • Транзисторы в металлопластиковом корпусе
  • Серия 800
  • Серия 900
  • Транзисторы

ДИОДЫ

  • Диоды стеклянные
  • Светодиоды (индикаторные)
  • Диоды металлопластиковые
  • Диоды и стабильтроны импортные металлопластиковые
  • Диоды серии КЦ (2Ц)
  • Диоды слаботочные
  • Диоды
  • Стабилитроны
  • Диоды сильноточные
  • Тиристоры

РЕЛЕ

  • РЭС 6
  • РЭС 9
  • РЭС 10
  • РЭС 15
  • РЭС 22
  • РЭС 32
  • РЭС 34
  • РЭС 44
  • РЭС 47
  • РЭС 48
  • РЭС 49
  • РЭС 54
  • РЭС 55; РЭС 64
  • РЭС 59
  • РЭС 60
  • РЭС 78
  • РЭС 80
  • РПС11/5
  • РПС18/7
  • РПС32Б
  • РПС34А
  • РПС42Б
  • РПВ 2/7
  • РП4, РП5, РП7
  • РГК15
  • РЭК 23
  • PPI
  • РКМ 1
  • R154POT
  • ДП12
  • РЭН 33

КОНДЕНСАТОРЫ

  • Конденсаторы
  • Конденсаторы переменные
  • Конденсаторы тантал-серебряные
  • Конденсаторы керамические
  • Конденсаторы керамические из сборок сопротивлений

РЕЗИСТОРЫ

  • Типа ОМЛТ
  • Типа МЛТ
  • Типа РПМ-2
  • Типа С2-10
  • Типа С2-23
  • Резисторы импортные типа МЛТ
  • Типа УЛИ
  • Типа ВС
  • Резисторы
  • Типа ММТ-4
  • Сопротивление переменное типа СП5-3, СП5-2
  • Сопротивление переменное типа СП5-2
  • Сопротивление переменное типа СП5-2В
  • Сопротивление переменное типа СП5-2; СП5-2М (пластиковый корпус)
  • Сопротивление переменное типа СПЗ-39А (пластиковый корпус)
  • Сопротивление переменное типа СП5-1ВА
  • Сопротивление переменное типа СП5-14
  • Сопротивление переменное типа СП5-14 (пластиковый корпус)
  • Сопротивление переменное типа СП5-15
  • Сопротивление переменное типа СП5-22-1 Вт (пластиковый корпус)
  • Сопротивление переменное типа СПЗ-37А-1
  • Сопротивление переменное типа СП5-16ВГ-0,05 Вт
  • Сопротивление переменное типа СП5-16ВА-0,25 Вт
  • Сопротивление переменное типа СП5-16ТА(ВА) 0,5 Вт
  • Сопротивление переменное типа СП5-16 ВА(ТА) 1 Вт
  • Сопротивление переменное типа СП5-16ВБ-0,25 Вт(металлический корпус)
  • Сопротивление переменное типа СП5-16ВБ-0,5 Вт
  • Сопротивление переменное типа TESLA WKC7911
  • Сопротивление переменное типа ППЗ
  • Резистор переменный ППБ-18
  • Сопротивление переменное типа СПЗ-9А
  • Сопротивление переменное типа СП-2-2-10
  • Резисторы переменные

ХАРАКТЕРИСТИКА ТИПОВОГО ЛОМА РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ

Лом электронных и радиотехнических изделий представляет наиболее сложный и многокомпонентный вид вторичного металлургического сырья. Как правило, основными компонентами лома являются: железо в виде простой и нержавеющей стали, алюминий и его сплавы, медь и ее сплавы, керамика, специальные сорта стекла и стеклокерамики, пластмассы и их композиции со стекловолокном.

В настоящее время основная масса драгоценных металлов сосредоточена в ЭВМ старого поколения, блоках управления военной техники, радиотехнических устройствах, телекоммуникационном оборудовании. Основным источником вторичного сырья в настоящее время являются ЭВМ типа ЕС и др., а также начинается переработка и электронного лома военного назначения.

В ЭВМ типа ЕС и других вычислительных комплексах может содержаться от 0,2 до 10 кг золота, от 0,5 до 15 кг серебра, от 0,1 до 2 кг палладия и платины. В блоках управления военной техникой количества драгоценных металлов находятся также в этих пределах. Массовое содержание драгоценных металлов составляет сотые доли для ЭВМ и десятые доли для военной техники.

Основная масса золота и платиновых металлов сосредоточена в относительно небольшом количестве изделий и элементов электроники: разъемов, микросхемах, транзисторах и диодах, реле, керамических конденсаторах. Серебро более рассредоточено, но основная его часть присутствует в этих изделиях, а также в контактах реле, сопротивлениях, предохранителях.

До 40-60 % золота и серебра сосредоточено в контактах разъемов различного типа. Основой контактов является медь и ее сплавы, чаще всего латунь и медно-никелевые сплавы. Контакты жестко запрессованы или относительно свободно вставлены в корпус на основе пластмассы или композита. Массовое содержание золота в контактах составляет 0,3-10 % (в среднем 1-5 %), серебра 2-8 %, палладия 0,5-2 %.

Остальное золото сосредоточено преимущественно в микросхемах, транзисторах, диодах. Серебро также присутствует в сопротивлениях, реле и конденсаторах. Платина и палладий в основном находятся в составе керамических конденсаторов.

Данные изделия электроники как правило собраны на плате с помощью пайки или склеивания в типовые элементы замены (ТЭЗ). Корпус платы представляет собой армированный стеклотканью пластик. Доля наполнителя (стеклоткани) достигает ~ 70 % и он представлен специальными сортами бороалюминий-силикатного бесщелочного стекла. В качестве связующего используют кремнийорганические, полиэфирные, поликарбамидные и др. типы пластмасс.

Микросхемы обычно собраны в пластиковом или керамическом корпусе. Позолоченные вывода соединены с керамической пластинкой и жестко запрессованы в корпус. Материал выводов – железо-никелевый магнитный сплав типа “платинит” или “ковар”. Золото нанесено гальванически в количестве 1-10 %. Также золото присутствует в виде подложки под кристалл кремния и специальных припоев. Пластмассовые корпуса микросхем изготавливают из термопластичной пластмассы с 60-70 % наполнителя (тальк, асбест, кремнезем, глинозем). Внутренняя подложка для кристалла обычно сделана из корунда или дуралюмина. Корпуса диодных матриц и некоторых видов микросхем изготавливаются из специальных сортов бесщелочных стекол. Массовое содержание золота в пластмассовых микросхемах может составлять от 0,2 до 1 %, а в керамических от 1 до 5 %. Массовая доля выводов составляет ~ 30 % массы микросхемы. Транзисторы содержат золото в качестве подложки под кристаллом и проводником. Среднее массовое содержание золота в золотосодержащих транзисторах составляет 0,3-2 %. Материал крышки – никель или никелированный сплав, материал корпуса – железо-никелевый сплав.

В среднем доля элементов электроники, содержащих золото в количестве от 0,5 и выше, незначительна и их изъятие из лома позволяет выделить в относительно богатый продукт до 90 % всего золота.

Изделия, концентрирующие серебро, также немногочисленны. Из наиболее богатых можно отметить контакты разъемов, сопротивления, транзисторы, диоды, конденсаторы, контакты реле. Серебро более “размазано” по электронному лому и часто труднодоступно (сопротивления, реле), поэтому выемка серебросодержащих объектов целесообразна только для некоторых типов. Оставшееся в ломе “труднодоступное” серебро следует отправлять на металлургические специализированные предприятия (Кировоградский медеплавильный завод и комбинат “Североникель”). Изделия, содержащие палладий и платину, в основном представлены керамическими конденсаторами на основе титанатов бария или стронция. Содержание палладия в них составляет 3-7 %, а платины – преимущественно 0,3-0,6 %. Кроме того, палладий присутствует в качестве покрытия на некоторых типах разъемов (0,5-3 % палладия), в переменных сопротивлениях, а платина – в контактах реле.

В процессе изъятия из приборов и устройств отдельных элементов, деталей, узлов формируются типовые группы вторичного сырья, требующие специфических методов и технологий переработки. Для лома электронных и радиотехнических изделий такими устройствами являются:, – типовые элементы замены (ТЭЗ),, – реле,, – блоки питания,, – лампы.,

В состав устройств, приборов или ТЭЗ в свою очередь входят такие элементы, как:, – микросхемы в пластиковом, керамическом или стеклокерамическом корпусе;, – конденсаторы керамические, тантал-серебряные, танталовые (ниобиевые), электролитические, бумажные;, – сопротивления и резисторы;, – предохранители;, – транзисторы и транзисторные сборки;, – диоды;, – реле;, – трансформаторы, катушки индуктивности;, – разъемы штыревые и ламельные.,

На аффинажные предприятия (Щелковский завод вторичных драгоценных металлов, Приокский завод цветных металлов, Новосибирский завод цветных металлов, Красноярский завод цветных металлов) направляют концентраты, содержащие более 1 % золота; (МПГ) и 5 % серебра в металлической форме или форме порошков. Из всех элементов электроники лишь некоторые типы транзисторов удовлетворяют этим условиям. Все остальные элементы и устройства требуют переработки с целью извлечения из них металлической фракции, содержащей более 1 % Аи или МПГ и более 1 % Ад.